MMBT2907
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Power - Max | 350mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2N5109 |
|
Транзистор S-N 40В 0.4A 1.2ГГц TO5 | MOTOROLA |
|
|
||
|
|
2N5109 |
|
Транзистор S-N 40В 0.4A 1.2ГГц TO5 | CENTRAL SEMI |
|
|
||
|
|
2N5109 |
|
Транзистор S-N 40В 0.4A 1.2ГГц TO5 | CENTRAL SEMI |
|
|
||
|
|
2N5109 |
|
Транзистор S-N 40В 0.4A 1.2ГГц TO5 |
|
|
|||
|
|
2N5109 |
|
Транзистор S-N 40В 0.4A 1.2ГГц TO5 | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP | 8 |
|
