|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DC COMPONENTS
|
2 695
|
52.37
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MCC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
|
|
58.52
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
MIC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
YJ
|
11 169
|
32.60
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
LGE
|
4 440
|
17.75
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
HOTTECH
|
7 852
|
29.11
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
KBU6M |
|
Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...
|
SEP
|
400
|
23.86
|
|
|
|
TL072IDT |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 395
|
47.99
|
|
|
|
TL072IDT |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL072IDT |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
|
|
|
|
|
|
TL072IDT |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL072IDT |
|
Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
320
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
|
|
26.28
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
TL081CN |
|
Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
346
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
453
|
11.04
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
660
|
9.07
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
7 308
|
12.60
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ПРОХЛАДНЫЙ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3107И |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
8
|
6.66
|
|
|
|
П609А |
|
|
|
6 725
|
11.10
|
|
|
|
П609А |
|
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
П609А |
|
|
|
6 725
|
11.10
|
|
|
|
П609А |
|
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|