Версия для печати
Технические характеристики MC33079PG

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	10 V ~ 36 V, ±5 V ~ 18 V
Ток выходной / канал	37mA
Ток выходной	8.4mA
Напряжение входного смещения	150µV
Ток - входного смещения	300nA
Полоса пропускания	16MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	7 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DC COMPONENTS	2 695	52.37
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MCC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIR
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...			58.52
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	Fairchild Semiconductor
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	MIC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	КИТАЙ
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	FAIRCHILD
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	YJ	11 169	32.60
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	DIOTEC
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KINGTRONICS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	GALAXY ME
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	LGE	4 440	17.75
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	HOTTECH	7 852	29.11
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	KLS
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	PANJIT
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	VISHAY
		KBU6M		Диодный мост 6А, 1000В в пластиковом корпусе с гибкими проволочными выводами для ...	SEP	400	23.86
		TL072IDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	ST MICROELECTRONICS	1 395	47.99
		TL072IDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	STMicroelectronics
		TL072IDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
		TL072IDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	TEXAS
		TL072IDT		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	320
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS			26.28
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL081CN		Операционный усилитель JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	346
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		453	11.04
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	660	9.07
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 308	12.60
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3107И		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.66
		П609А				6 725	11.10
		П609А			РИГА
		П609А				6 725	11.10
		П609А			АЛЬФА РИГА

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"