FQP4N20L
200v logic n-channel mosfet
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | QFET™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 1.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.2nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 310pF @ 25V |
| Power - Max | 45W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FQP4N20L (N-канальные транзисторные модули) 200V LOGIC N-Channel MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | BOURNS | 149 | 33.26 | ||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм |
|
|
|||
|
|
3314G-1-203E |
|
Подстроечный резистор 20 кОм | ВОURNS |
|
|
||
 |
 |
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | BOURNS | 3 120 | 18.60 | |
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 |
|
19.84 | ||
|
|
|
CM322522-101KL |
|
ЧИП индуктивность 100мкГн 1210 | ВОURNS |
|
|
|
| LM431ACM3X | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM431ACM3X | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK |
|
|
|||
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK | ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
MC78M05BDT |
|
(+5В, 0.5А) DPAK | ONS |
|
|
||
| КП505Б | 706 | 27.60 | ||||||
| КП505Б | МИНСК | 3 743 | 33.60 | |||||
| КП505Б | ИНТЕГРАЛ |
|
|
