FQP12N60


FQP12N60 (заказ)
FQP12N60

Технические характеристики FQP12N60

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 5.3A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C10.5A
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs54nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
Power - Max180W
Тип монтажаВыводной
Корпус (размер)TO-220-3
КорпусTO-220
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru