FQD20N06TM


FQD20N06TM (заказ)
FQD20N06TM

Технические характеристики FQD20N06TM

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
СерияQFET™
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs63 mOhm @ 8.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C16.8A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds590pF @ 25V
Power - Max2.5W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru