Версия для печати
Технические характеристики FEP16DTA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	950mV @ 8A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 200V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	8A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200V
Reverse Recovery Time (trr)	35ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Anode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

FEP16AT (Диоды и выпрямители) 16 Ampere Glass Passivated Super Fast Rectifiers Также в этом файле: FEP16DTA Производитель: Fairchild Semiconductor //www.fairchildsemi.com FEP16DTA datasheet 39.53Kb 3стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB688		Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz			33.88
		2SB688		Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	KEC
		2SB688		Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	INCHANGE SEMIC
		2SB688		Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	ISC	158	77.21
		2SB688		Биполярный транзистор Si-P, 120V, 8A, 80W, 10MHz	ISCSEMI
		FEP16GT		Полупроводниковый компонент	FAI/QTC
		FEP16GT		Полупроводниковый компонент	FSC
		FEP16GT		Полупроводниковый компонент			88.00
		FEP16GT		Полупроводниковый компонент	Fairchild Semiconductor
		FEP16GT		Полупроводниковый компонент	VISHAY
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAI/QTC
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W		3 500	27.75
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FAIRCHILD
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	Fairchild Semiconductor
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	FSC1
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	КИТАЙ
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ON SEMI/FAIRCH
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONSEMICONDUCTOR
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS	240	159.57
		FQP50N06		Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W	ONS-FAIR
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	800	75.60
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...		65	79.55
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	NXP
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	DMS
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	МЕКСИКА
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INFINEON
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	24
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	1
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	MINOS	355	24.44
		IRFZ44N		N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, ...	EVVO	630	17.30
		TL072BCD		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	Texas Instruments	734	52.50
		TL072BCD		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...
		TL072BCD		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	TEXAS
		TL072BCD		Двухканальный малошумящий операционный усилитель с малым температурным дрейфом, JFET, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	488

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"