FDN335N

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
FDN335N (YOUTAI)	9 010	1.25
FDN335N (FAIRCHILD.)	16	3-4 недели Цена по запросу
FDN335N	9 360	3.11

Версия для печати

Технические характеристики FDN335N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	PowerTrench®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 1.7A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	310pF @ 10V
Power - Max	460mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	3-SSOT
Product Change Notification	Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

FDN335N (MOSFET)

N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FDN335N datasheet
81.2 Кб