Версия для печати
Технические характеристики ECAP 470/25V 1012 105C

Номинальное напряжение	25 В
Емкость	470 мкФ
Серия	ECAP
Корпус (размер)	Radial
Тип монтажа	Выводной
Тип	Электролитический алюминиевый

Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 25 В ECAP 470/25V 1012 105C datasheet 7,48MB 627стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С			10.00
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С	JAMICON
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С	JAM
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С	JB
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С	ELZET
		ECAP 47/25V 0511 105C		Электролитический алюминиевый конденсатор 47мкФ, 25 В, 105С	CHANG
		SK016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SK016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	YAGEO
		SK016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		SK016M1000B5S-1015		Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 16 В
		SK016M10K0B7F-1836		Электролитический алюминиевый конденсатор 10000 мкФ, 16 В, 20%, 85С	YAGEO
		SK016M10K0B7F-1836		Электролитический алюминиевый конденсатор 10000 мкФ, 16 В, 20%, 85С	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		SK016M10K0B7F-1836		Электролитический алюминиевый конденсатор 10000 мкФ, 16 В, 20%, 85С	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS	1 329	31.00
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...		5 688	35.68
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	STMicroelectronics
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTR
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	КИТАЙ
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	ST MICROELECTRO
		STP6NK60ZFP		MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...	4-7 НЕДЕЛЬ	623
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST MICROELECTRONICS	1 958	53.00
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	UTC
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ОРБИТА	8	64.03
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А		15 836	17.35
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	TSL
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	САРАНСК	381	42.40
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	КИТАЙ
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	MEV
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	ST1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	STMICROELECTR
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	SEMICONDUCTORS
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	1
		TDA2003		Усилитель низкой частоты 8-18В, 3.5А	4-7 НЕДЕЛЬ	360

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"