CMF20120D
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | Z-FET™ |
| FET Type | SiCFET N-Channel, Silicon Carbide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Power - Max | 150W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247-3 |
| Корпус | TO-247-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
