Версия для печати
Технические характеристики BUT11AF

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	450V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 500mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	1mA
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220F

BUT11AF Silicon Diffused Power Transistor Производитель: Wing Shing Electronic //www.wingshing.com BUT11AF datasheet 73.84Kb 1стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	FAIR
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SANYO
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	SAN
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	STMicroelectronics
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	YJ
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	США
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	TSL
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS			282.56
		BU508A		Транзистор биполярный большой мощности NPN 1500V, 8A, 125W, Tf<0.7uS	PHILIPS
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	143.64
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS			56.16
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FAIRCHILD
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	Fairchild Optoelectronics Group
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	STMicroelectronics
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS INSTRUMENTS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	FSC1
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS-FAIR
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	ONS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	TEXAS
		LF353N		OP-AMP сдвоенный JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	759
		SF28 (2A 600В)
		UF2B ДИОД УЛЬТРАБЫСТР.			WTE	16 482	4.20
		UF2B ДИОД УЛЬТРАБЫСТР.

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"