Версия для печати
Технические характеристики BCX70J

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	550mV @ 1.25mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	250 @ 2mA, 5V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	125MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

BCX70 Small Signal Transistor (NPN) Также в этом файле: BCX70J Производитель: Vishay //www.vishay.com BCX70J datasheet 0b

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ3130В9				704	18.90
		КТ3130В9			АЛЕКСАНДРОВ	152	10.50
		КТ3130В9			ДАЛЕКС	144	19.63
		КТ3130В9			RUS
		КТ3130В9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130В9			ЭЛЕКС	800	8.69
		КТ3130В9			МИНСК	205	16.80

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	5 607	1.68
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DC COMPONENTS	15 949	1.32
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIOTEC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	FAIRCHILD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	185
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PANJIT
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ST MICROELECTRONICS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SEMTECH
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)		15 565	1.38  >100 шт.   0.69
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	NXP	1 100
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	DIODES INCORPORATED
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	ONSEMICONDUCTOR
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	GALAXY ME
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	LRC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	HOTTECH	481 190	1.72  >100 шт.   0.86
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KLS
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SUNTAN
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YJ	571 504	1.70  >100 шт.   0.85
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE (YJ)
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	CJ	296	1.52  >100 шт.   0.76
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JSCJ	97 312	1.30  >100 шт.   0.65
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGJIE	7 200	1.38  >100 шт.   0.69
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	JINGDAO	166 895	1.42  >100 шт.   0.71
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	TWGMC
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	MDD
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	PLINGSEMIC	169 097	1.48  >100 шт.   0.74
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	YANGZHOU YANGJIE
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	SLKOR	120	1.02  >100 шт.   0.51
		BAV70		2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)	KEEN SIDE	149 777	1.06  >100 шт.   0.53
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450		1 460	7.56
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	800	7.56
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DC COMPONENTS	22 759	1.54
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	DIOTEC	292	1.75
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	INFINEON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ON SEMICONDUCTOR
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ONS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	FAIRCHILD	3 596
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NXP	3 281
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS	6 583
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	Fairchild Semiconductor
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	PHILIPS SEMIC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	КИТАЙ
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KINGTRON
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	GALAXY ME
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YJ	617 906	1.72  >100 шт.   0.86
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SEMTECH
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MULTICOMP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	LRC
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	HOTTECH	491 904	1.58  >100 шт.   0.79
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KLS
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KOME	10	2.00
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	SUNTAN	31 697	1.42  >100 шт.   0.71
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	NEX-NXP
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGJIE (YJ)
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	TRR	35 880	1.20  >500 шт.   0.40
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	JINGDAO	182 662	1.38  >500 шт.   0.46
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	XXW	316 495	1.36  >100 шт.   0.68
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	YANGZHOU YANGJIE
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	CTK	323	1.04
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	KEEN SIDE	21 598	1.18  >100 шт.   0.59
		BC846B		Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450	MERRYELC	350	1.26  >100 шт.   0.63
		CD74HC237E			Texas Instruments
		CD74HC237E			TEXAS INSTRUMENTS	28
		CD74HC237E			TEXAS
		CD74HC237E
		CD74HC237E
		CD74HC237E			4-7 НЕДЕЛЬ	568
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	VISHAY
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт			61.44
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	Vishay/Siliconix
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	КИТАЙ
		IRF9530		Транзистор полевой P-MOS 100В 12A, 75Вт	INTERNATIONAL RECTIFIER	29
		ULQ2003A			ST MICROELECTRONICS	24	47.09
		ULQ2003A					42.00
		ULQ2003A			STMicroelectronics
		ULQ2003A			КИТАЙ
		ULQ2003A			ST MICROELECTRO
		ULQ2003A			4-7 НЕДЕЛЬ	792

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"