BCW68G

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
BCW68G		21.60

Версия для печати

Технические характеристики BCW68G

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max)	20nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	160 @ 100mA, 1V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

BCW 67B (Биполярные PNP транзисторы)

PNP Silicon AF Transistors (For general AF applications High current gain)

Также в этом файле: BCW 68G

Производитель:
Siemens Semiconductor Group
//www.infineon.com

BCW68G datasheet
138.06Kb
6стр.