Версия для печати
Технические характеристики 2N5551TA

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Power - Max	625mW
Frequency - Transition	100MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Корпус	TO-92-3
Product Change Notification	Fe Wire Change 12/Oct/2007

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	11.34
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	10 296	4.68
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	5 898	8.42
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		5 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	451	1.74
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 600	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551-Y			FAIR
		2N5551-Y					8.00
		2N5551-Y			FSC
		2N5551-Y			FAIRCHILD
		2N5551-Y			КИТАЙ
		2N5551-Y			ON SEMI/FAIRCH
		2N5551-Y			ONSEMICONDUCTOR
		2N5551-Y			ONS
		2N5551-Y			ONS-FAIR
		2N5551-Y			LGE
		2N5551G			ON SEMICONDUCTOR
		2N5551G					9.20
		2N5551G			ONS
		2N5551G			ON SEMICONDUCTOR
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов		97	320.05
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	BM
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	NXU
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	AUK
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	CONNFLY
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	KLS
		DB-50M		Вилки 3 х рядные в металлическом корпусе, для навесного монтажа 50 контактов	КИТАЙ	2	126.00
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	ST MICROELECTRONICS	2 284	23.74
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...		260	20.16
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	UTC
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	STMicroelectronics
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	ST MICROELECTRO
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	STMICROELECTR
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	WS	1 312	10.29
		L79L05ACZ		Линейный отриц. Стабилизатор напряжения (Vout=-5.0V, tol=4%, I=0.1A, Vinmax=-30V, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	432

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"