| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
|
24
|
34.00
|
|
|
|
|
LM386N |
|
Усилитель низкой частоты 1.25Вт (6V/8 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
48
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS/MOT
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
FRS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
|
|
108.04
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
MC34119P |
|
Маломощный усилитель НЧ 0.25W/32 Ом, режим блокировки
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
559
|
|
|
|
|
|
ГТ109Г |
|
|
|
65
|
15.12
|
|
|
|
|
ГТ109Г |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
|
218
|
45.36
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ
|
34
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
РИГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ644А |
|
Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц
|
КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
|
42
|
33.60
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
471
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
763
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
