| Максимальное обратное напряжение,В | 30 |
| Максимальное повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии,В | 30 |
| Максимальное среднее за период значение тока в открытом состоянии,А | 0.32 |
| Максимальный повторяющийся импульсный ток в открытом состоянии,А | 6 |
| Максимальное напряжение в открытом состоянии,В | 2.4 |
| Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора ,А | 0.00002 |
| Отпирающее напряжение управления, соответствующее минимальному постоянному отпирающему току,В | 0.8 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии,В/мкс | 10 |
| Время выключения,мкс | 6 |
| Рабочая температура,C | -45…85 |
| Особенности | незапираемый |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
400
|
10.93
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
|
7 628
|
1.90
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
932
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
SUNTAN
|
481
|
1.47
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
XXW
|
158
|
1.27
|
|
|
|
1N4732A |
|
Стабилитрон 4.7В, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
17 204
|
1.11
|
|
|
|
|
2SD2578 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 8A, 60W, Tf<300nS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SD2578 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 8A, 60W, Tf<300nS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SD2578 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 8A, 60W, Tf<300nS
|
|
|
119.44
|
|
|
|
|
2SD2578 |
|
Биполярный транзистор NPN+D 1500V, 8A, 60W, Tf<300nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STRA6259H |
|
|
SANKEN
|
|
|
|
|
|
|
STRA6259H |
|
|
SK
|
|
|
|
|
|
|
STRA6259H |
|
|
|
1
|
219.24
|
|
|
|
|
STRA6259H |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
568
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
|
1 754
|
2.58
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
ВОРОНЕЖ
|
708
|
5.37
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
274
|
24.99
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
БРЯНСК
|
13 579
|
5.37
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
10
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
10394
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
132
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
6600
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
735
|
|
|
|
|
|
КТ602АМ |
|
|
9
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
400
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
13 955
|
39.38
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
3 440
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|