| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
6Ж1П |
|
Высокочастотный пентод для широкополосного усиления напряжения высокой частоты
|
|
16
|
101.75
|
|
|
|
6Ж1П |
|
Высокочастотный пентод для широкополосного усиления напряжения высокой частоты
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
|
|
2.80
|
|
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
|
288
|
231.25
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УЛЬЯНОВСК
|
2 904
|
30.43
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
УРЛЗ
|
392
|
340.96
|
|
|
|
КТ117Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный однопереходной с базой n-типа
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
|
КТ863БС |
|
Кремниевый n-p-n транзистор. Imax.=12A, Imax.имп.=15А, UкеR>160В(R=1кОм), h21>200 с ...
|
|
|
62.40
|
|
|
|
|
С1-4М-0.25-5.6 |
|
|
|
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|