| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
К50-35-16В-470 МКФ |
|
Конденсаторы оксидно-электролитические алюминиевые изолированные и неизолированные ...
|
|
|
|
|
|
|
|
КД209А КАПЛЯ |
|
|
ФОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД209А КАПЛЯ |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КД209А КАПЛЯ |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
 |
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
|
10 083
|
11.04
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 1
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ЦВЕТОТРОН
|
10 628
|
13.44
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
СЗТП
|
800
|
16.63
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
ОРБИТА
|
3 120
|
26.86
|
|
|
|
|
КД510А |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный, 50В, 0,2А, 0,004 мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
|
617
|
77.28
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО-М
|
8 082
|
157.50
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ММ
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ВИСМУТ
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
2 057
|
33.30
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 679
|
31.87
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 912
|
37.80
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
