Версия для печати
Технические характеристики КР142ЕН14

Тип	регулируемый
Выходное напряжение, В	2...37
Ток нагрузки, А	0.15
Тип корпуса	DIP14
Максимальное входное напряжение, В	40
Мощность рассеиваемая макс., Вт	0.8
Температурный диапазон, C	-10…+70

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		К 553 УД1В			RUS
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...		2 583	37.48
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	ФОТОН	11 818	31.50
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕКСАНДРОВ	4	168.00
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	АЛЕСАНДРОВ
		КП303Е		Транзистор кремниевый полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа ...	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		52 884	7.56
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.03
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
		КУ202Е1				1 204	21.08
		КУ202Е1			СЗТП	8	106.19
		КУ202Е1			САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов		3 999	11.10
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов	ЗОНД
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов	ИЗОТОП
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов	ИРКУТСК
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов	СЗТП	8	69.49
		КЦ405Б		Блоки из кремниевых, диффузионных диодов	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"