|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B |
|
442.36 | |||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | Analog Devices Inc |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | ANALOG DEVICES |
|
|
||
|
|
AD5320BRM |
|
ЦАП 12 бит 100 кГц посл. вх. Uвых. -40°C. +105°C D4B | 4-7 НЕДЕЛЬ | 398 |
|
||
| ECAP 10000/50V 3035 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 50 В | JAMICON |
|
|
|||
| ECAP 10000/50V 3035 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 50 В |
|
480.00 | ||||
| ECAP 10000/50V 3035 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мФ 50 В | JAM |
|
|
|||
| К 174 ХА6, (1990-97Г) | RUS |
|
|
|||||
| КР 572 ПВ2А | RUS |
|
|
|||||
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... |
|
|
||
|
|
|
КТ 315 Д |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, для ... | RUS |
|
|