| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
|
|
21.36
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
OTHER
|
517
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
ISC
|
1 503
|
7.22
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
SEMTECH
|
3 908
|
4.37
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
MCR100-8 |
|
Тиристор 600В 0.8A
|
LGE
|
2 400
|
4.13
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
|
|
470.48
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
ST1
|
|
|
|
|
|
TDA7386 |
|
Усилитель низкой частоты 4x28W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x45W, Gv=26dB
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
MOTOROLA
|
52
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
|
12
|
42.78
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
JSMSEMI
|
1
|
34.41
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
240
|
22.08
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
807
|
32.79
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
628
|
33.48
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
20
|
38.80
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
КТ817А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1103
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
ВОЛГОГРАД
|
6 870
|
3.72
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
3106
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
3617
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
960
|
|
|
|
|
|
|
ФП1П8-62-02 |
|
|
990
|
|
|
|