SS8550C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
SS8550C	96	18.90
SS8550C	96	18.90

Версия для печати

Технические характеристики SS8550C

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	25V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 80mA, 800mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 100mA, 1V
Power - Max	1W
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Корпус	TO-92-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ6115Б
		КТ6115Б			ИНТЕГРАЛ	80	11.34

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BFR96
BFR96
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	SAMSUNG
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz		10 509	1.64 >100 шт. 0.82
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	CJ	363	1.13
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	YJ
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	HOTTECH	2 400	1.48 >100 шт. 0.74
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	JSMSEMI	35 827	1.23 >500 шт. 0.41
SS8050	Транзистор NPN 25V, 1.5A, 1W, 190MHz	KEEN SIDE	25 040	1.04 >100 шт. 0.52
SS8050C		FAIR
SS8050C				8.40
SS8050C		МИНСК
КТ529А	Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения			14.00
КТ529А	Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения	АЛЕКСАНДРОВ
КТ529А	Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения	КРЕМНИЙ	800	15.12
КТ529А	Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения	БРЯНСК	560	18.90
КТ529А	Транзисторы P-N-P с малым напряжением насыщения	700	8	203 428.47
КТ530А				11.96
КТ530А		АЛЕКСАНДРОВ
КТ530А		КРЕМНИЙ	1 200	15.12
КТ530А		БРЯНСК	656	18.90
КТ530А		820	8	204 033.31