| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
MF-0.25-300 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.25-300 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
6.00
|
|
|
|
MF-0.5-2.2M 5% |
|
Резистор металлодиэлектрический аксиальный 0.5Вт, 2.2МОм, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
MF-0.5-2.2M 5% |
|
Резистор металлодиэлектрический аксиальный 0.5Вт, 2.2МОм, 5%
|
|
8
|
2.84
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
MOTOROLA
|
52
|
40.60
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
|
16
|
102.06
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTR
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
ONS
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
1
|
|
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
JSMSEMI
|
1
|
39.22
|
|
|
|
TL494CN |
|
SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
714
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
|
263
|
156.40
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО-М
|
3 474
|
180.20
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
КИЕВ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ММ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
ВИСМУТ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МОСКВА
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРОМ
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
МИКРО М
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
5561
|
|
|
|
|
|
КР544УД1А |
|
Операционный дифференциальный усилитель с высоким входным сопротивлением и низким ...
|
711
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
|
20.40
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
7 262
|
38.16
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
1154
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2000
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2276
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2380
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
3398
|
|
|
|