| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
|
1 712
|
21.19
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
ФИЛИППИНЫ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
SLKOR
|
3 504
|
27.34
|
|
|
|
|
IRF7341 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (55V, 4.7A, 2W)
|
24
|
|
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
|
|
56.72
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRF7342 |
|
Транзистор полевой SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
|
|
74.40
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
СЕВЕРНАЯ КОРЕЯ
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
КОРЕЯ, НАРОДНО-
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
|
|
|
|
|
|
|
IRF7343 |
|
Транзистор полевой SMD P/N-MOS 55V, -3.4/4.7A, 2W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 849
|
14.32
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
|
21
|
42.84
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
ONSEMI
|
3 891
|
8.91
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
739
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
2500
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4810
|
|
|
|
|
|
|
LM324DR2G |
|
Низкопотребляющий четырехканальный операционный усилитель дифф. вход, защита от КЗ
|
4864
|
|
|
|
|
|
|
SMA-C174P |
|
SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом
|
BM
|
20
|
440.60
|
|
|
|
|
SMA-C174P |
|
SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом
|
|
6
|
226.92
|
|
|
|
|
SMA-C174P |
|
SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SMA-C174P |
|
SMA штекер обжимной на RG-174, 50Ом
|
RUICHI
|
2 494
|
41.99
|
|
Версия для печати
