Версия для печати
Технические характеристики IRFP460LC

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270 mOhm @ 12A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	20A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	3600pF @ 25V
Power - Max	280W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3
Корпус	TO-247-3

IRFP460LC (N-канальные транзисторные модули) Power Mosfet Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFP460LC datasheet 293.17Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8055AR		ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению	ANALOG DEVICES
		AD8055AR		ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению			182.48
		AD8055AR		ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению	Analog Devices Inc
		AD8055AR		ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению	ANALOG DEVICES
		AD8055AR		ОУх1 Быстродейств: 300 МГц, 1400В/мкс, ОС по напряжению	4-7 НЕДЕЛЬ	265
		CA9V-5М		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный	ACP
		CA9V-5М		Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный			19.80
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)			144.00
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS	128	192.78
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMIC
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTO
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONSEMICONDUCTOR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	ONS-FAIR
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	SPTECH	770	50.04
		MJE15033G		Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)	JSMICRO	3	30.38
		КД503Б				7 418	1.38  >500 шт.   0.46
		КД503Б			ХЕРСОН	40 488	4.24
		КД503Б			ДНЕПР	3 647	4.24
		КД503Б			RUS
		КД503Б			13518
		КД503Б			27375
		КД503Б			3108
		КД503Б			735
		КД503Б			9518
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 110.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 547.60
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"