| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
AD7495BRZ |
|
Fast 12-Bit low-power Serial ADC I.C.
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
|
AD7495BRZ |
|
Fast 12-Bit low-power Serial ADC I.C.
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD7495BRZ |
|
Fast 12-Bit low-power Serial ADC I.C.
|
|
|
|
|
|
|
|
AD7495BRZ |
|
Fast 12-Bit low-power Serial ADC I.C.
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
40
|
|
|
|
|
|
AD7495BRZ |
|
Fast 12-Bit low-power Serial ADC I.C.
|
ADI
|
|
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
Texas Instruments
|
22
|
14.00
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
|
12
|
29.60
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
FULIHAO TECH
|
|
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
JSMICRO
|
2 267
|
7.97
|
|
|
|
CD4052BM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
665
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
|
|
588.00
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
OP262GSZ |
|
Сдвоенный операционный усилитель полевые входы, 15 МГц, Uсм=325 мкВ, SOIC8 -40.+125°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
214
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
1 096
|
154.98
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
|
|
176.76
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
MICRO CHIP
|
5 455
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/SL |
|
1Kx14 Flash,12I/O, 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
792
|
|
|
|
|
|
TS4148-1206 |
|
Si-Diode 100V 150mA 1206
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
TS4148-1206 |
|
Si-Diode 100V 150mA 1206
|
|
|
4.08
|
|
|
|
|
TS4148-1206 |
|
Si-Diode 100V 150mA 1206
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
TS4148-1206 |
|
Si-Diode 100V 150mA 1206
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|