4.7МКФ 35 (4X7)105°C

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1-343G, РАЗЪЕМ SCART ШТ ПЛАСТИК МЕТАЛЛИЗИРОВАННЫЙ ПОЗОЛ. НА КАБ.		КИТАЙ
1МКФ 50 (4X5)105°C
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА		19 704	3.70
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	ТОМИЛИНО
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	RUS
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	СЗТП
КД105Б	Кремниевый диод малой мощности 1кГц, 400 В, 300 мА	РОССИЯ
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		53 413	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...		480	32.20
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	КРЕМНИЙ	1 522	26.46
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	БРЯНСК	1 539	37.80
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	МИНСК
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ИНТЕГРАЛ
КТ815А	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...	ТРАНЗИСТОР