2С156Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | 1 | 86.40 | ||||
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | MURATA | 16 605 | 11.33 | |||
| LQH32MN100K23L |
|
Индуктивность ЧИП 10 мкГн, 10%, 190мА (1210) | MUR | 204 | 5.55 | |||
| RN55C1051FRE6 | DALE |
|
|
|||||
| RN55C1051FRE6 | DALE |
|
|
|||||
| RN55C1051FRE6 | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| ДПМ-0.6-9 |
|
12.96 | ||||||
 |
КТ315Е | 2 645 | 7.56 | |||||
| КТ4-32-8/80ПФ |
|
|
||||||
| КТ4-32-8/80ПФ | ПСКОВ |
|
|
|||||
| КТ4-32-8/80ПФ | ПЛЕСКАВА |
|
|
