2SB834Y

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.			835.20
КД257Д	3А.1000В	НПП ТЭЗ
КД257Д	3А.1000В		679	272.32
КД257Д	3А.1000В	СЗТП
КД257Д	3А.1000В	ТЭЗ	80	226.80
КД257Д	3А.1000В	ТОМИЛИНО
КН102Д			4	81.40
КН102Д		ТОМИЛИНО
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		165 776	5.55
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ