2SB834Y

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIR
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220			120.00
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FAIRCHILD
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	Fairchild Semiconductor
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	КОРЕЯ РЕСПУБЛИК
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	FSC1
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS
FQPF8N60C	MOSFET 600v n-канальный транзистор,TO220	ONS-FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.	FAIR
G30N60A4	Транзистор IGBT TO-247AC, 600V, 75A, 463W, 8.0 г.			835.20
Д815Е	металл		24 507	14.88
Д815Е	металл	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
Д815Е	металл	НОВОСИБИРСК
Д815Е	металл	RUS
Д815Е	металл	НЭМЗ
Д815Е	металл	НЗПП	69	61.99
Д815Е	металл	СЗТП	34	94.48
Д815Е	металл	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КН102Д			23	113.40
КН102Д		ТОМИЛИНО
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		163 802	5.58
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	НАЛЬЧИК
КТ315В	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ