| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
93C66B-I/SN |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
93C66B-I/SN |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
542
|
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
|
3
|
54.18
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
1
|
|
|
|
|
|
|
4014BE |
|
Сдвиговый 8 рязрядный рагистр
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
720
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
|
|
339.44
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRG4PH50U |
|
Транзистор IGBT модуль единичный 1200В, 45А, 200Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DM2ELG |
|
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DM2ELG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DM2ELG |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DM2ELG |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
TCA0372DM2ELG |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
158
|
|
|
|
|
|
TS912IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TS912IDT |
|
|
|
1 116
|
46.62
|
|
|
|
|
TS912IDT |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
115
|
|
|
|
|
|
TS912IDT |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
TS912IDT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
24
|
|
|
Версия для печати
