| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
1Т321Е |
|
|
|
1
|
9.25
|
|
|
|
|
1Т321Е |
|
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
|
16
|
22.68
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ
|
|
|
|
|
|
|
ГТ108Б |
|
|
КВАЗАР
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
|
666
|
27.60
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
МИНСК
|
3 743
|
33.60
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
170
|
|
|
|
|
|
|
КП505Б |
|
|
4509
|
|
|
|
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
35.91
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
454
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
|
273
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ940Б |
|
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
7
|
10.77
|
|
Версия для печати
