1Т115Б
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1Т321Е | 1 | 9.25 | ||||||
| 1Т321Е | НАЛЬЧИК |
|
|
|||||
| ГТ108Б |
|
12.00 | ||||||
| ГТ108Б | ГАММА ЗАПОРОЖЬЕ |
|
|
|||||
| ГТ108Б | КВАЗАР |
|
|
|||||
| КП505Б | 686 | 27.60 | ||||||
| КП505Б | МИНСК | 3 735 | 33.92 | |||||
| КП505Б | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|||||
| КП505Б | 170 |
|
|
|||||
| КП505Б | 4509 |
|
|
|||||
| КТ626Г | 482 | 15.12 | ||||||
| КТ626Г | ТОМСК |
|
|
|||||
 |
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | КРЕМНИЙ | 124 | 39.04 | |
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | 382 | 33.12 | ||
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | БРЯНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | RUS |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В | ТРАНЗИСТОР |
|
|
