| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
|
44 697
|
63.00
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
БРЕСТ
|
911
|
63.60
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН
|
174
|
77.60
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
САРАНСК
|
169
|
63.60
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
ЦВЕТОТРОН, БРЕСТ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
2Д522Б |
|
Диод кремниевый, эпитаксиально-планарный, импульсный
|
1527
|
|
|
|
|
|
|
HMC1051Z |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, -40:+125°С
|
HONEYWELL
|
|
|
|
|
|
|
HMC1051Z |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, -40:+125°С
|
|
|
1 666.00
|
|
|
|
|
HMC1051Z |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, -40:+125°С
|
Honeywell Microelectronics & Precision Sensors
|
|
|
|
|
|
|
HMC1051Z |
|
Магниторезистивный датчик напряженности магнитного поля, 1 ось, -40:+125°С
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
320
|
|
|
|
|
|
LQH32PN100MN0L |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LQH32PN100MN0L |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
LQH32PN100MN0L |
|
|
MUR
|
20 280
|
6.14
|
|
|
|
|
LQH32PN100MN0L |
|
|
MURATA
|
2 000
|
15.08
|
|
|
|
|
MAX1896 |
|
|
MAX
|
|
|
|
|
|
|
MAX3665EUA |
|
|
Maxim Integrated Products
|
|
|
|
Версия для печати
