С5-16МВ-2 0,16 ОМ 1%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SK3878 |
|
|
||||||
| 2SK3878 | TOS | 847 | 173.66 | |||||
| 2SK3878 | TOSHIBA | 1 | 166.31 | |||||
 |
 |
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 1 | 46.81 | |
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INTERNATIONAL RECTIFIER | 114 |
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | INFINEON | 38 472 | 11.33 | |
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | 3 840 | 8.44 | ||
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | HOTTECH |
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TRPBF |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ... | KLS |
|
|
|
| MGB20-P-11B | 4 056 | 55.33 | ||||||
| MGB20-P-11B | 4 056 | 55.33 |
