| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
5Ц4С |
|
Кенотрон 5Ц4С - двуханодный косвенного накала - предназначен для выпрямления ...
|
|
|
143.52
|
|
|
|
DIP16-S |
|
Панель DIP-16S с плоскими контактами
|
HSUAN MAO
|
|
|
|
|
|
DIP16-S |
|
Панель DIP-16S с плоскими контактами
|
|
|
7.60
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
|
310
|
25.76
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
АВРОРА
|
680
|
413.28
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ЗП-22 |
|
Звукоизлучатель отечественный 75дБ, 6В, 1-3,5кГц
|
ООО НПП " АВРОРА" Г. ВОЛГОГРАД
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 984
|
33.30
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 672
|
38.16
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|
|
|
|
РЭС47 04.02 |
|
реле РЭС47; РЭС47 04.02
|
|
|
179.40
|
|