| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
СЗТП
|
8
|
89.79
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
|
369
|
49.19
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
ЗОНД
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
ИЗОТОП
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
ИРКУТСК
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
УДАЛЕНО
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
ИЖЕВСК
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
ИЗОТОН
|
|
|
|
|
|
|
КД205Б |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
 |
 |
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
|
1 780
|
74.00
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ФОТОН
|
3 085
|
21.20
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
ELNEC
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
|
КД212А |
|
Кремниевый диод малой мощности 100кГц, 200В, 1А, 0,3мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
|
106
|
20.24
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
СЗТП
|
80
|
24.99
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КД226Д |
|
Кремниевый диод средней мощности 50кГц, 800В, 1,7А, 0,25мкс
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
417
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 041
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
2159
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
|
129
|
51.80
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
КРЕМНИЙ
|
1 136
|
89.89
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
БРЯНСК
|
9 326
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
РАДИОДЕТ
|
152
|
20.80
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
157
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
5643
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Г |
|
Транзистор среднечастотный структуры PNP
|
6882
|
|
|
|
Версия для печати
