| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
S1014 6.3А (ВПБ6) |
|
|
|
26 880
|
1.63
|
|
|
|
|
S1014 6.3А (ВПБ6) |
|
|
КИТАЙ
|
320
|
2.81
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
DC COMPONENTS
|
115
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
|
11 400
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
MIC
|
1 922
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
TY
|
|
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
BL
|
1
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
MCC
|
20
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
SEMICJNDUCTOR
|
71
|
12.72
|
|
|
|
|
W10M ДИОДНЫЙ МОСТ 1.5A 1000V |
|
|
170
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
|
|
32.00
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МЕЗОН
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
4
|
578.59
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
РОДОН
|
800
|
289.30
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
МИНСК
|
40
|
53.00
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К561ЛН2 |
|
6 логических элементов НЕ, время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
|
1 244
|
18.90
|
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
МЛТ-1-1 КОМ-5% |
|
Резистор постоянный металлопленочный лакированный теплостойкий
|
|
128
|
15.12
|
|