МБМ 0,1М 160В 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1КПВМ-1 3/24ПФ 350В	Подстроечный с воздушным диэлектриком конденсатор 3-24 пФ 350 В			168.00
К50-35 1000М 6,3В 105C
КТ 606 А		RUS
КТ602АМ			1 754	4.97
КТ602АМ		ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
КТ602АМ		ВОРОНЕЖ	708	6.36
КТ602АМ		КРЕМНИЙ	274	24.99
КТ602АМ		БРЯНСК	13 595	6.36
КТ602АМ		10
КТ602АМ		10394
КТ602АМ		132
КТ602АМ		6600
КТ602АМ		735
КТ602АМ		9
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		927	34.59
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 586	38.16
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК	297	25.44
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	1988