| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
|
3 692
|
28.89
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
ИЗОТРОН, ЛИДА
|
504
|
144.65
|
|
|
|
|
К511ЛА5 |
|
Микросхема 4x2И-НЕ с пассивным выходом, 15В
|
381
|
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
|
3 923
|
30.24
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
РИГА
|
393
|
16.96
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
АЛЬФА РИГА
|
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
ГРАВИТОН
|
|
|
|
|
|
|
К553УД2 |
|
Операционный усилитель средней точности Uсм=7.5 мВ, Iвх= 1.5 мкА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
|
66
|
185.00
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
АЛЕКСАНДРОВБ/УП
|
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ203Б |
|
никель
|
ЭЛЕКС
|
144
|
475.27
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
512
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ - 0.25 ВТ 510 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
