| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AN7112E |
|
Усилитель низкой частоты 0.7W (9V/16 Ом)
|
MATSUSHITA
|
533
|
23.76
|
|
|
|
AN7112E |
|
Усилитель низкой частоты 0.7W (9V/16 Ом)
|
|
17
|
55.50
|
|
|
|
AN7112E |
|
Усилитель низкой частоты 0.7W (9V/16 Ом)
|
MAT
|
|
|
|
|
|
AN7112E |
|
Усилитель низкой частоты 0.7W (9V/16 Ом)
|
PAN
|
|
|
|
|
|
AN7112E |
|
Усилитель низкой частоты 0.7W (9V/16 Ом)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
511
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
|
21
|
151.20
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
К176ИД2 |
|
Дешифратор двоичного кода в семисегментный. Время задержки 50 нс, потреблениe 0,4 ...
|
СПЛАВ
|
44
|
69.22
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
|
266
|
8.59
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
ДНЕПР
|
80
|
10.60
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
ДНЕР
|
1 200
|
10.60
|
|
|
|
КВ109В |
|
1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт
|
1800
|
|
|
|
|
|
КТ3108А |
|
|
|
26
|
136.64
|
|
|
|
КТ3108А |
|
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ3108А |
|
|
ДАЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
|
296
|
34.96
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
КРЕМНИЙ
|
800
|
32.79
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
БРЯНСК
|
344
|
38.16
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
3
|
|
|
|
|
|
КТ815А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 10Вт, ...
|
428
|
|
|
|