| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
PWL-05 PITCH 3.96 MM |
|
|
|
1 012
|
4.40
|
|
|
|
|
PWL-05 PITCH 3.96 MM |
|
|
КИТАЙ
|
3
|
6.05
|
|
|
|
|
ДМ-0,1-60 МКГН-5% |
|
|
|
3 764
|
3.70
|
|
 |
|
КД247Г |
|
|
|
775
|
10.30
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
СЗТП
|
400
|
12.49
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
|
КД247Г |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
КС407Б |
|
стекло
|
|
6 198
|
3.15
|
|
|
|
 |
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
311
|
39.04
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
406
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
