|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3314G-1-503E |
|
Подстроечный резистор 50 кОм |
|
|
|||
|
|
3362P-1-503LF |
|
Потенциометр 50 кОм |
|
120.00 | |||
|
|
3362P-1-503LF |
|
Потенциометр 50 кОм | VATRONICS |
|
|
||
|
|
3362P-1-503LF |
|
Потенциометр 50 кОм | Bourns Inc |
|
|
||
|
|
3362P-1-503LF |
|
Потенциометр 50 кОм | BOURNS |
|
|
||
| 4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| 4020BCP (MC14020BCP) (К561ИЕ16) |
|
|
||||||
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz | SAMSUNG |
|
|
||
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz |
|
2.80 | |||
|
|
SS9018 |
|
NPN 15V, 50mA, 0.4W, 1100MHz |
|
2.80 | |||
|
|
КП313А |
|
Транзистор кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом ... |
|
69.12 | |||
|
|
КП313А |
|
Транзистор кремниевый диффузионно-планарный полевой с изолированным затвором и каналом ... | ВИННИЦА |
|
|