ДМ-0.1-68МКГН
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА |
|
4.80 | ||
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА | ЭЛЕКС |
|
|
|
| ДМ-0,2-200 МКГН-5% | 3 872 | 9.30 | ||||||
| ДМ-1,2-5 МКГН-10% | 102 | 3.72 | ||||||
 |
КП350Б | 4 | 241.80 | |||||
|
|
КП350Б | ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП350Б | ЭКСПОРТ ВИННИЦА |
|
|
||||
|
|
КП350Б | ПУЛЬСАР |
|
|
||||
 |
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
86.40 | |||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | СВЕТЛАНА |
|
|
||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ДАЛЕКС |
|
|
||
|
|
КТ368А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | АЛЕКСАНДРОВ |
|
|
