| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BZX79-C5V1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX79-C5V1 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZX79-C5V1 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX79-C5V1 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX79-C5V1 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
 |
CA016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
CA016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%
|
|
|
7.80
|
|
|
|
|
CA016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
CA016M0010REB-0405 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10мкФ, 16 В, 2000ч, 20%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
 |
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
|
973
|
36.09
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF9540 |
|
P-канальный полевой транзистор 19А, 100В, 140Вт
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
NEC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
266
|
32.13
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
|
32
|
14.76
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
5
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
HGSEMI
|
3 720
|
11.50
|
|
|
|
|
NE555N |
|
Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
552
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
|
6 024
|
9.25
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
КРЕМНИЙ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
МИНСК
|
1 242
|
10.50
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
НАЛЬЧИК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
9.07
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ3102ВМ |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
Версия для печати
