1206 1,1ОМ 5%
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206 120ОМ 1% |
|
|
||||||
| 1206 9,1ОМ 5% |
|
|
||||||
| IDD06E60 | INFINEON |
|
|
|||||
| IDD06E60 |
|
66.80 | ||||||
| IDD06E60 | Infineon Technologies |
|
|
|||||
| IDD06E60 | INFINEON TECH |
|
|
|||||
 |
 |
R1206-1 КОМ-5% |
|
Бескорпусной толстопленочный резистор 1кОм, 5%, 1206 | 3 456 | 1.85 | ||
 |
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... |
|
360.00 | ||
|
|
|
SGB15N60HS |
|
Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) с низкими потерями проводимости ... | Infineon Technologies |
|
|
