VND830-E
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Тип | High Side |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Число выходов | 2 |
| Сопротивление (On-State) | 60 mOhm |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 9A |
| Напряжение питания | 5.5 V ~ 36 V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Корпус | 16-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... |
|
182.40 | ||
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
BU808DFH |
|
Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ... | ST1 |
|
|
|
| BU808DFH + РАДИАТОР | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| BU808DFH + РАДИАТОР |
|
456.00 | ||||||
| BU808DFH + РАДИАТОР | ФИЛИППИНЫ |
|
|
|||||
| TJA1055T/C | NXP |
|
|
|||||
| TJA1055T/C |
|
|
||||||
| TJA1055T/C | NXP |
|
|
|||||
| TJA1055T/C | 4-7 НЕДЕЛЬ | 659 |
|
|||||
| VND810-E | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| VND810-E |
|
400.00 | ||||||
| VND810-E | STMicroelectronics |
|
|
