| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
|
64 863
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DC COMPONENTS
|
1 520
|
2.89
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
24
|
1.70
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
DIOTEC
|
852
|
3.42
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 230
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
NXP
|
18 568
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
HOTTECH
|
33 938
|
1.26
>500 шт. 0.42
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YJ
|
549 530
|
1.03
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
SUNTAN
|
432
|
1.57
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
1
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
KEEN SIDE
|
14 480
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
30
|
|
|
|
|
|
BC817-16 |
|
Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
|
22400
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 344
|
27.40
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
286
|
37.08
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
|
POL-12017R |
|
|
PMI
|
|
|
|
|
|
|
POL-12017R |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
468
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
18 056
|
46.64
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
3 360
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|