| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
2 336
|
29.48
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
|
246
|
37.08
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRF9640 |
|
P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.
|
1
|
|
|
|
|
|
|
POL-12017R |
|
|
PMI
|
|
|
|
|
|
|
POL-12017R |
|
|
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
SENSITRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL INSTRUMENT
|
3 380
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
2 800
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
DIOTEC
|
7 317
|
1.54
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
|
47 308
|
1.79
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
GI
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
16937
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
2009
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
26140
|
|
|
|
|
|
UF4004 |
|
Ультрабыстрый диод 400V, 1A, 0,05мкс
|
KINGTRONICS
|
800
|
1.79
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
|
400
|
36.80
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
МИНСК
|
13 955
|
39.38
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
3 440
|
84.72
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
ИНТЕГРАЛ-С
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
47
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8658
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
88
|
|
|
|
|
|
КТ973А |
|
Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц
|
8879
|
|
|
|