MJD50TF


MJD50TF (заказ)
MJD50TF

Технические характеристики MJD50TF

Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Transistor TypeNPN
Current - Collector (Ic) (Max)1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)200µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 300mA, 10V
Power - Max1.56W
Frequency - Transition10MHz
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
КорпусD-Pak
Product Change NotificationLead Dimension Change 23/Jan/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.kontest.ru