IRFB3306
|
|
Версия для печати
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 75A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4520pF @ 50V |
| Power - Max | 230W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PIC18F1320-I/ML | MICRO CHIP |
|
|
|||||
| PIC18F1320-I/ML |
|
800.00 | ||||||
| PIC18F1320-I/ML | Microchip Technology |
|
|
|||||
| PIC18F1320-I/ML | ТАИЛАНД |
|
|
|||||
| PIC18F1320-I/ML | 4-7 НЕДЕЛЬ | 299 |
|
|||||
| TLP421(GB) | TOSHIBA |
|
|
|||||
| TLP421(GB) | TOSHIBA | 1 460 |
|
|||||
| КР142ЕН1В | 130 | 71.95 | ||||||
| КР142ЕН1В | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КР142ЕН1В | ТОМИЛИНО |
|
|
|||||
| КР142ЕН1В | RUS |
|
|
|||||
| КР142ЕН1В | КРЕМНИЙ | 60 | 37.48 | |||||
| КР142ЕН1Г | 882 | 28.89 | ||||||
| КР142ЕН1Г | БРЯНСК |
|
|
|||||
| КР142ЕН1Г | ТОМИЛИНО |
|
|
|||||
 |
КР142ЕН9И |
|
(7824) |
|
26.40 | |||
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824) | КРЕМНИЙ | 404 | 95.05 | ||
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824) | БРЯНСК | 1 452 | 31.80 | ||
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824) | КРЕМН |
|
|
||
|
|
КР142ЕН9И |
|
(7824) | 2319 |
|
|
