IRLHS6342TR2
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 8.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1019pF @ 25V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-PowerVDFN |
| Корпус | 6-PQFN (2x2) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
