1206-1КF

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 0.01UF X7R 20% 50V
1206 Y5V 0.47UF 20% 25V		KOME
MMBTA06LT1G	Транзистор	ON SEMICONDUCTOR
MMBTA06LT1G	Транзистор	ONS	424	3.10
MMBTA06LT1G	Транзистор	ON SEMICONDUCTOR	2 988
MMBTA06LT1G	Транзистор		16
MMBTA06LT1G	Транзистор	ON SEMICONDUCTO
MMBTA06LT1G	Транзистор	ONSEMICONDUCTOR
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...		1 021	14.72
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ	800	12.47
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ПЛАНЕТА	1 572	8.69
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	БРЯНСК	2 505	17.01
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	МИНСК	1 720	16.38
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ЭЛЕКС
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	АЛЕКСАНДРОВ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	ИНТЕГРАЛ
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМН
КТ209К	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p усилительный с ...	КРЕМНИЙ ЭЛ	1	4.60
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М		ПОЛЬША
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 3.2 ЖЁЛТ. 0.5М		ГЕРМАНИЯ