Версия для печати
Технические характеристики BD680

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2.5V @ 30mA, 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max)	500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	750 @ 1.5A, 3V
Power - Max	40W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-126-3
Корпус	SOT-32-3

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SANYO
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	SAN
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz			27.36
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	США
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	NEC
		2SC3953		Биполярный транзистор NPN 120V, 0.2A, 8W, 400MHz	КИТАЙ
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	FAIR
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	FAIRCHILD
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	FAIRCHILD
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	Fairchild Semiconductor
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	ONS-FAIR
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	ONS
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	SUNTAN	158	6.82
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	KLS
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	WUXI XUYANG
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	ASEMI
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	SMCMICRO
		SB5100		Диод Шоттки (U=100V, I=5A, Vf=0.85V@I=5A, -50 to +125C), аксиальные выводы.	KOME	166	10.77
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST MICROELECTRONICS	1	127.55
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт			38.00
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	STMicroelectronics
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ФИЛИППИНЫ
		ST13007		Транзистор биполярный большой мощности NPN 700В, 8A, 80Вт	ST1
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	111	1 229.76
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N		184	1 116.00
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	100	1 306.70
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	14
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	82
		КТ827А		Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	84
		ТКЕ52ПД1				8	1 580.00
		ТКЕ52ПД1			4
		ТКЕ52ПД1			6

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"